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彭博社：中国长鑫存储宣称率先突破芯片关键技术 或领先三星与SK海力士 中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣称，在三星电子和SK海力士等竞争对手多年努力攻克的关键技术上取得突破。虽然这一声明尚未获得独立证实，却已引发全球芯片股大幅下跌。 长鑫存储总裁曹侃瑜上周末在上海举行的行业会议上表示，公司计划在今年年底前推出采用4F²架构的新型存储芯片，主要用于数据中心服务器。公司发言人随后证实了这一消息。 如果技术突破属实，长鑫存储将在这一领域抢先于三星和SK海力士取得进展。 尤其值得注意的是，美国制裁限制了该公司获取先进制造设备的能力，包括荷兰阿斯麦的顶级光刻设备。 不过，曹侃瑜并未公布具体技术细节，产品能否实现商业化量产仍有待验证。 消息震动全球芯片市场 三星与海力士跌逾7% 消息传出后，周二三星和SK海力士在韩国股市的股价均下跌超过7%，拖累韩国综合股价指数（Kospi）。此前，美国美光科技股价已下跌4%。 晨星分析师余静杰表示：“如果长鑫存储能够率先成功将4F²架构应用于DRAM生产，将大幅提升它相对于竞争对手的竞争地位。” 但他指出，国际领先的存储芯片制造商及设备供应商都承认，这项技术转型极具挑战性。 因此，即使长鑫存储正式发布产品，距离实现具备商业可行良率的量产，预计仍有相当长的时间差。 瑞士联合私人银行董事总经理林伟成认为，市场反应也与AI股票此前涨幅过大有关。 他说：“投资者现在非常紧张，正在寻找理由，对今年表现出色的AI相关股票获利了结，尤其是存储芯片股。” 4F²技术有何突破？更小面积容纳相同存储容量 目前，存储芯片行业普遍采用6F²设计标准。 其中，F代表芯片的特征尺寸，即晶体管之间的基本线宽。6F²意味着每个存储单元占用的面积相当于特征尺寸平方的六倍。 三星和SK海力士一直尝试将其缩小至4F²，让相同数量的存储单元占用更小面积，从而提高芯片密度和效率。 曹侃瑜表示，长鑫存储采用名为垂直环绕栅极（Vertical Surrounding Gate）的技术，通过垂直堆叠改变晶体管的排列方式。 这种设计有望减少漏电及其他副作用，而这些问题长期阻碍芯片制造商突破6F²尺寸限制。 如果取得成功，将成为中国科技企业在美国技术限制下，通过创新设计寻找替代技术路线的又一案例。 华为另辟技术路线 中国芯片企业加速追赶 今年夏季，长鑫存储凭借规模庞大的首次公开募股，一度成为中国市值最高的公司。此次技术声明进一步显示，公司正努力缩小与海外竞争对手的差距。 在其他芯片技术领域，华为和DeepSeek等中国企业也在探索不同的技术方案，以应对美国出口管制。 今年5月，华为公布了名为韬（τ）定律 （Tau Scaling Law）的新技术理念，尝试突破传统摩尔定律主要依赖缩小晶体管尺寸提升性能的路线。 华为采用逻辑折叠（LogicFolding）技术，通过提高晶体管密度及加快芯片内部数据传输来改善性能。 相关芯片已用于今年上市的华为智能手机。 DRAM市场份额升至10% 高端HBM仍落后 随着人工智能行业对先进存储芯片的需求快速增长，长鑫存储正加快扩大产能。 未来几年，全球存储芯片供应紧张局面预计逐步缓解。能否生产技术更先进的产品，将成为公司保持竞争力的重要因素。 目前，长鑫存储在高带宽存储器（HBM）领域仍落后于国际领先制造商。HBM是英伟达人工智能加速器使用的关键存储芯片。 不过，公司在整体动态随机存取存储器（DRAM）市场中正迅速扩大份额。 市场研究机构Counterpoint Research数据显示，截至今年第二季度，长鑫存储的全球DRAM市场份额已达到10%，一年前仅为4%。    来源： https://www.bloomberg.com/news/a ... ?srnd=homepage-asia By Bloomberg News October 13, 2026 at 4:07 PM GMT+11 |
